即将登陆科创板 拓荆科技助力产业链发展

即将登陆科创板的拓荆科技股份有限公司(简称“拓荆科技”)近日相继完成网上路演活动、开启网上网下申购并发布中签结果，公司距离科创板上市再近一步。

公开资料显示，拓荆科技成立于2010年4月，是沈阳市乃至辽宁省重点培育的上市后备企业和中国半导体设备五强企业之一，主要从事高端半导体专用薄膜沉积设备的研发、生产以及技术服务，产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积 (ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三个系列，是目前国内为数不多的产业化应用集成电路PECVD、SACVD设备厂商之一。

“公司立足自主创新，先后承担多项国家重大科技专项课题，在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术，并达到国际先进水平。” 拓荆科技表示，公司拥有先进的薄膜工艺设备设计技术、反应模块架构布局技术等，不仅解决了薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，还在保证薄膜工艺性能的同时提升了客户产线的产能，大大减少了生产成本。

拓荆科技相关负责人表示，薄膜沉积设备技术门槛高，研发难度大，生产中不仅需要在成膜后检测薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标，还需要对最终芯片产品进行可靠性和生命周期测试，以衡量薄膜沉积设备是否最终满足技术标准。因此，下游客户对薄膜沉积设备技术要求高，对于新兴厂商而言，需要具备强大的技术能力才能获取客户信任。

经过十多年的技术积累，拓荆科技已形成覆盖20余种工艺型号的薄膜沉积设备产品，可以适配国内先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线，满足下游集成电路制造客户对于不同材料、不同芯片结构薄膜沉积工序的设备需求。其中，PECVD设备已全面覆盖逻辑电路、DRAM存储、FLASH闪存集成电路制造各技术节点产线多种通用介质材料薄膜沉积工序，并研发了LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先进介质材料工艺，一举打破了薄膜沉积设备长时间被欧美和日本厂商垄断的局面。

本次IPO，拓荆科技计划将募集资金主要用于高端半导体设备扩产、先进半导体设备的技术研发与改进以及ALD设备研发与产业化等项目。“上市后，在加强产品技术研发的同时，公司还将逐步培育和完善国内相关产业链，通过与国内供应商的深度合作与磨合，推动设备关键部件的国产化开发及验证，提高设备零部件的国产化率以及产品品质。”拓荆科技表示，公司还将利用国产设备厂商的综合优势，为客户提供定向的技术开发与服务，以助力半导体产业链发展，保障产业链的技术先进性。

业内人士分析，作为半导体产业的重要支撑，半导体专用设备是国家高度重视和重点支持的战略新兴行业。像拓荆科技这类具备“硬科技”属性的高新技术企业，其发行上市获取资本助力，既符合科创板“硬科技”板块的定位，也契合国家发展战略，具有借助资本市场实现跨越式发展的正面示范效应。